走进一座芯片工厂，走廊两侧是一排排没人叫得出名字的机器。少数能写上中国名字的设备里，中微是其中之一；而把它做出来的人，二十多年里一直没离开过技术一线。
尹志尧（Yin Zhiyao）在 2004 年创办中微公司（证券简称"中微公司"，代码 688012），此前曾在美国应用材料（Applied Materials）担任副总裁。公司 2019 年登陆科创板，起步时只做一件事——等离子体刻蚀，也就是在硅片上刻出微观电路图案的那道工序。
几个已经核验的事实
- 2025 年，中微营收 123.9 亿元（≈ 17.3 亿美元），同比增长 36.6%；归母净利润 21.1 亿元（≈ 2.95 亿美元）。
- 其 CCP 刻蚀设备已覆盖 65 纳米到 3 纳米及更先进制程。
- 截至 2026 年 6 月底，中微累计超过 8800 个反应台在国内外 220 多条产线量产，服务 100 多家客户。
- 公司已开发 54 种高端半导体设备，从刻蚀扩展到薄膜、ALD、CMP 与量检测。
从单品到平台
中微过去几乎只以刻蚀闻名，这个定位如今被主动打破。在 2026 年 10 月中旬的中国国际工业博览会（国芯展）上，公司展出两款新品：Primo XD-RIE 极高深宽比刻蚀机，面向先进 3D 存储的 70:1 至 90:1 深孔工艺；以及 Prefima Unicore AM 12 英寸 ALD 钼设备。两者都瞄准先进逻辑与存储最吃紧的环节。
这是战略，而非偶然。尹志尧提出用约五年时间覆盖 60% 以上高端集成电路设备、70% 以上先进封装设备，从零件供应商走向平台型公司。2025 年中微还推进收购杭州众硅（CMP 设备厂商），把能力从"干法"延伸到"干法+湿法"。公司称已申请专利 3300 余项，并在上海、广州、成都布局研发与生产基地。尹志尧多次强调，中国设备厂不应抄袭国外"标配"设备，而要坚持差异化、自主创新的路线。在 10 月的国芯展高峰论坛上，他以"坚持技术创新、产品差异化和知识产权保护"为题发表主旨演讲；本届展会上，中微的刻蚀设备也斩获了 CIIF（中国国际工业博览会）大奖，说明平台化已拿到客户与展会的双重反馈。
为什么刻蚀突然成了瓶颈
两股力量同时推高需求。其一，3D NAND 靠堆叠更多层来提高容量，意味着要刻更深更窄的孔——新发布的 Primo XD-RIE 正对着 70:1 到 90:1 的深宽比。其二，在先进光刻（EUV）难以获取的情况下，晶圆厂依赖多重模板：反复刻蚀与沉积来逼近更细线宽，每一轮多过一道刻蚀与沉积。
中微 2025 年的业绩印证了这股拉力：刻蚀设备销售约 98.3 亿元（≈ 13.7 亿美元），同比增长约 35%；薄膜沉积尤其是 LPCVD 增长更快，公司称该板块增幅约 224%。研发投入约 37.4 亿元（≈ 5.24 亿美元），占营收近 30%。
更难读的一面
这并不等于中微已经"通关"。公司营收仍主要来自刻蚀，薄膜、ALD、量检测等新线必须在客户产线上证明能稳定、高毛利地放量。与应用材料、Lam Research、东京电子在全球同台竞争，仍是多年的爬坡；出口管制也在不断改写哪些客户、哪些节点可以触达。
清楚的是尹志尧选择的角色：不是功成身退的创始人，而是仍在为 22 年前创办的公司定技术方向的工程师。当外界目光都盯着芯片本身，中微提醒了一件事——造芯片的机器，才是自主可控真正较量的地方。
诚实的局限
本文依赖中微公司自身披露与财经媒体对其 2025 年年报的报道，未独立审计上述数字。部分行业报道中关于中微"全球第几大刻蚀厂"的排名说法，因找不到主源核实，已删除不写。Primo XD-RIE 与 Prefima Unicore AM 的技术参数为发布会口径，未经第三方基准测试。出口管制影响以概括方式描述，因其确切范围频繁变动。
普通人现在能做什么
- 若你关注半导体供应链，盯住中微每季度的设备结构：刻蚀占比下降、薄膜与 ALD 上升，是平台化是否见效最干净的信号。
- 对投资者而言，把约 30% 的研发投入强度与毛利率放在一起看——高投入若换不来客户落地，才是要警惕的风险。
- 对普通读者，一句话结论：先进芯片同样依赖刻蚀与沉积设备，而国产晶圆厂在先进节点上已经有了本土可选项。